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首页> 外文会议>Microelectronics technology and devices - SBMicro 2010 >Analog Parameters of Strained Non-Rectangular Triple Gate FinFETs
【24h】

Analog Parameters of Strained Non-Rectangular Triple Gate FinFETs

机译：应变非矩形三栅极FinFET的模拟参数

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Multiple-gate MOSFETs emerged as good candidates for the future device generations considering the continuous increase in performance requirements (1,2). The reduction of temperature (3) and the use of mechanical stress (4) may be additionally applied for boosting the mobility and consequently enhance MOSFET performance. The FinFET is one of the many multiple-gate MOSFET existing structures.rnFinFET fabrication process includes some etching steps for the silicon fins formation. Due to accuracy problems in these steps, it is very usual some fin width variations along the vertical direction, leading to nearly trapezoidal cross-sections on most cases (5). Some previous works (6,7) showed some consequences of these shape variations at room temperature.
机译：考虑到性能要求的不断提高，多栅极MOSFET成为了未来器件的理想选择（1,2）。可以另外应用温度降低（3）和机械应力（4）的使用，以提高迁移率并因此增强MOSFET的性能。 FinFET是众多多栅极MOSFET现有结构之一。rnFinFET的制造工艺包括一些用于形成硅鳍片的蚀刻步骤。由于这些步骤中的精度问题，通常在垂直方向上会出现一些翅片宽度变化，在大多数情况下会导致横截面接近梯形（5）。一些以前的工作（6,7）显示了室温下这些形状变化的一些后果。

著录项

  • 来源
  • 会议地点 Sao Paulo(BR);Sao Paulo(BR)
  • 作者

    R. T. Btihler; R. Giacomini; J. A. Martino;

  • 作者单位

    Department of Electrical Engineering, FEI, Sao Bernardo do Campo, SP, Brazil,rn LSI/PSI/EPUSP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, SP, Brazil;

    Department of Electrical Engineering, FEI, Sao Bernardo do Campo, SP, Brazil,rn LSI/PSI/EPUSP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, SP, Brazil;

    LSI/PSI/EPUSP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, SP, Brazil;

  • 会议组织
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 半导体技术;
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