Electrical Computer Engineering, University of Delaware, Newark, DE 19716;
Ⅲ-Ⅴ oxidation; 3D photonic crystals; ICP etching; optoelectronic devices;
机译:X射线光刻中用于制造亚微米特征尺寸器件的工艺条件
机译:X射线光刻中用于制造亚微米特征尺寸器件的工艺条件
机译:离心和旋涂法制造作为光子晶体器件的三维蛋白石和反蛋白石结构
机译:Ⅲ-α氧化工艺对亚微米三维光子器件制造的氧化工艺
机译:二维和三维光子晶体器件的制造,用于芯片级光学互连。
机译:亚微米粒子结构作为可重构光子器件可通过外部光子和磁场控制
机译:一维和二维光子带隙器件的设计和制造