【24h】

Electronic phase transitions in transparent zinc oxide thin films

机译:透明氧化锌薄膜中的电子相变

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摘要

The peculiarities of charge carrier transfer mechanism in ZnO films doped by donor or acceptor impurity and metal-dielectric electronic phase transition were investigated. The control parameter of this transition is concentration of interstitial Zn atoms. The films with high concentration of interstitial Zn atoms have high conductivity of metallic type. Air annealing leads to change of conductivity temperature dependence from metallic type to dielectric one.
机译:研究了施主或受主杂质掺杂的ZnO薄膜中电荷载流子传输机制的特殊性以及金属-介电电子相变。该转变的控制参数是间隙锌原子的浓度。具有高浓度间隙锌原子的薄膜具有高金属型导电性。空气退火导致电导率温度依赖性从金属类型改变为电介质温度。

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