Formation of GaN Self-Organized Nanotips by Nanomasking Effect

机译：纳米掩膜效应形成GaN自组织纳米尖端

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We have successfully fabricated self-organized GaN nanotips by reactive ion etching using chlorine plasma, and have revealed the formation mechanism. Nanotips with a high density and a high aspect ratio have been formed after the etching. We deduce from X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis that the nanotip formation is attributed to nanometer-scale masks of SiO_2 on GaN. The structures calculated by Monte Carlo simulation of our formation mechanism are very similar to the experimental nanotip structures.

机译：我们已经成功地通过使用氯等离子体的反应性离子刻蚀制造了自组织的GaN纳米尖端，并揭示了其形成机理。在蚀刻之后已经形成了具有高密度和高纵横比的纳米尖端。我们从X射线光电子能谱（XPS）分析得出，纳米尖端的形成归因于GaN上SiO_2的纳米级掩模。通过蒙特卡洛模拟计算我们形成机理的结构与实验纳米尖端结构非常相似。

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来源
《Self-Assembly Processes in Materials》|2001年|p.155-160|共6页
会议地点 Boston MA(US);Boston MA(US)
作者
Harumasa Yoshida; Tatsuhiro Urushido; Hideto Miyake; Kazumasa Hiramtsu;
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作者单位

Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Mie University, 1515 Kamihama, Tsu, Mie 514-8507, Japan;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词

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