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基于碳纳米管掩膜的GaN纳米异质外延生长研究

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近年来,GaN材料的纳米异质外延(NHE)技术引起了广泛关注.相比于微米级选区生长技术,NHE技术可以通过限制核心尺寸在GaN的初始生长阶段显著湮灭位错、弛豫应力.然而GaN在高缺陷区的过早合拢并不利于最大限度提升薄膜质量,且纳米图形复杂、昂贵的制备工艺也不利于NHE技术的大规模应用.本文中,运用碳纳米管(CNT)掩膜实现了NHE技术改进,将微米级和纳米级两种选区生长技术的优势进行融合,显著提高了GaN薄膜的质量,并且具有掩膜工艺简单和低成本的特点,大大提高了NHE技术产业化应用的可能性.

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来源
《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》|2015年|198-199|共2页
会议地点苏州
作者
冯晓辉; 纪骋; 张立胜; 康香宁; 杨志坚; 魏洋; 张国义; 于彤军;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23:TN304.054.46;
关键词
氮化镓; 异质外延生长; 薄膜质量; 碳纳米管掩膜;

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