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GaN基异质结构的外延生长和物性研究

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GaN基异质结构在微波功率放大器和功率开关等电子器件领域有重大应用价值,同时作为一种典型的高导带阶跃、强极化半导体二维电子气(2DEG)体系,表现出一系列不同于传统半导体异质结构的物理性质.近几年来,运用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,系统研究了多种类型GaN基异质结构的外延生长,在蓝宝石和Si衬底上分别获得了高质量的AlGaN/GaN、晶格匹配InAlN/GaN异质结构,Si衬底上异质结构2DEG室温迁移率最高达到2240cm2/Vs.在此基础上,系统开展了InAlN/GaN异质结构漏电机理及其抑制方法、AlGaN/GaN异质结构高场输运性质、AlGaN/GaN异质结构界面陷阱态特性等电学性质工作.同时,在器件和器件物理研究方面,深入研究了Si衬底上GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)动态电阻增加的物理机制,并实现了Si衬底上高性能GaN基增强型功开关器件.

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来源
《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》|2015年|9|共1页
会议地点苏州
作者
沈波;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23;
关键词
电子器件; 氮化镓基异质结构; 外延生长; 物理性质;

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