Radiation Damages in CMOS Image Sensors:Testing and Hardening Challenges Brought by Deep Sub-Micrometer CIS Processes

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• 来源
  《Sensors, systems, and next-generation satellites XIV》|2010年|p.78261S.1-78261S.12|共12页
• 会议地点 Toulouse(FR)
• 作者

  Vincent Goiffon; Cedric Virmontois; Pierre Magnan; Paola Cervantes; Pranck Corbiere; et al;

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• 作者单位

  Université de Toulouse, ISAE, 10 avenue E. Belin, 31055, Toulouse, France;

  Université de Toulouse, ISAE, 10 avenue E. Belin, 31055, Toulouse, France;

  Université de Toulouse, ISAE, 10 avenue E. Belin, 31055, Toulouse, France;

  Université de Toulouse, ISAE, 10 avenue E. Belin, 31055, Toulouse, France;

  Université de Toulouse, ISAE, 10 avenue E. Belin, 31055, Toulouse, France;

  et al;

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• 会议组织
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 人造卫星;雷达设备、雷达站;
• 关键词

  CMOS image sensor; CIS; Active Pixel Sensor; APS, MAPS; pinned photodiode; deep submicrometer technology; DSM; ionizing radiation; total ionizing dose; TID; displacement damages; DDD; dark current; radiation-hardening-by-design; RHDB;

  机译：CMOS图像传感器独联体;有源像素传感器； APS，MAPS；固定光电二极管深亚微米技术； DSM；电离辐射;总电离剂量；工业贸易署;位移损失； DDD;暗电流通过设计进行辐射硬化；区域数据库;