Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA 02139;
Uiversity of Maryland, College Park, MD 20742;
National Cheng-Kung University, Taiwan 701, Taiwan;
Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA 02139;
Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA 02139;
机译:厚的原硅酸四乙酯(TEOS)和基于硅烷的PECVD氧化膜中的残余应力和断裂
机译:适用于MEMS应用的厚而低应力PECVD非晶硅
机译:适用于MEMS应用的厚而低应力PECVD非晶硅
机译:电力MEMS应用厚PECVD TEOS膜的残余应力特征
机译:压电瘤应用Pb(Zr0.3Ti0.7)O3薄膜对缩放效应对缩放效应的影响
机译:关于MEMS压电微功率HARVESTER物理参数优化的数据用于极低频率和低振动级应用
机译:用于MEMS的超高压电子束蒸发低应力厚硅膜的表征
机译:功率mEms结构和器件用pECVD厚氧化膜的残余应力和断裂