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RESIDUAL STRESS CHARACTERIZATION OF THICK PECVD TEOS FILMFOR POWER MEMS APPLICATIONS

机译:厚PECVD TEOS膜的残余应力表征 r n在功率MEMS中的应用

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摘要

This paper reports residual stress characterization of thickrnoxide films. Engineering approaches for creating lo-20μm oxidernfilms without cracking and wafer bow were demonstrated.
机译:本文报道了厚氧化膜的残余应力特征。演示了创建低至20μm氧化膜而不会破裂和晶圆弯曲的工程方法。

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