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首页> 外文会议>Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US >Boron Segregation and Out-diffusion in Single-Crystal Si_(1-y)C_y
【24h】

Boron Segregation and Out-diffusion in Single-Crystal Si_(1-y)C_y

机译：单晶Si_（1-y）C_y中硼的偏析与扩散

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Boron segregation and its effect on carbon diffusion is studied in single-crystal Si_(1-y)C_y. We find that boron segregates from silicon to Si_(0.996)C_(0.004) at a level m=[B]_(SiC)/[B]_(Si) = 1.7 during a 2 hour, 850℃ anneal in N_2. After this anneal, if most of the carbon is then removed from the Si_(1-y)C_y layer (via an oxidation-enhanced out-diffusion process), most of the boron segregation is removed as well. This argues against immobile B-C defects as the predominant mechanism driving the segregation. Boron is shown to increase carbon diffusion during the N_2 anneal, but also appears to enhance carbon precipitation during a subsequent oxidation.
机译：研究了单晶Si_（1-y）C_y中硼的偏析及其对碳扩散的影响。我们发现，在N_2中经过2小时，850℃的退火，硼以m = [B] _（SiC）/ [B] _（Si）= 1.7的水平从硅偏析到Si_（0.996）C_（0.004）。在该退火之后，如果然后从Si_（1-y）C_y层中除去大部分碳（通过氧化增强的向外扩散工艺），则大部分硼偏析也会被除去。这反对不可移动的B-C缺陷是驱动分离的主要机制。硼在N_2退火过程中增加了碳的扩散，但在随后的氧化过程中也似乎增强了碳的沉淀。

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