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首页> 外文会议>Symposium on Optical Microstructural Characterization of Semiconductors held November 29-30, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A. >Optical properties of pseudomorphic Sn_xGe_(1-x) alloys
【24h】

Optical properties of pseudomorphic Sn_xGe_(1-x) alloys

机译：伪Sn_xGe_（1-x）合金的光学性质

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Sn_xGe_(1-x) alloys are grown coherent on Ge(001) substreatess by conventional molecular beam epitaxy. The lattice mismatch between Sn_xGe_(1-x) and Ge produces a biaxial compression of the alloy in the plane of the s ubstrate and a uniaxial elongation in the growth direction. The change of E_g resulting from the biaxial compression is modeled with deformation potential theory for coherent Sn_xGe(1-x) on Ge(001) and coherent Sn_xGe_(1-x) on Ge(111). For SnGe_(1-x) on Ge(001), the decrease in the energy band gap due to strain is small, 16 meV for x chemical bounds 0.10, and GAMMA _7 and L_6 shift uniformly. In the case of Sn_xGe(1-x) on Ge(111), GAMMA _7 and L_6 do not shift uniformly; a large uniaxial splitting occurs at L_6, 200 meV for x chemical bounds 0.10. Another interesting result of a uniaxial strain along [111] is the absence of a direct to indirect energy band gap transition for x<0.30. Fourier transform infrared spectroscopy transmission measurements of coherent Sn_xGe_(1-x) on Ge(001) confirm the strain-induced change in the energy band gap is a small effect.
机译：Sn_xGe_（1-x）合金通过常规分子束外延在Ge（001）基体上相干生长。 Sn_xGe_（1-x）与Ge之间的晶格失配会导致合金在基底平面内发生双轴压缩，并在生长方向上产生单轴伸长。对于Ge（001）上的相干Sn_xGe（1-x）和Ge（111）上的相干Sn_xGe_（1-x），使用变形势理论对双轴压缩导致的E_g变化进行建模。对于Ge（001）上的SnGe_（1-x），由于应变引起的能带隙减小很小，对于x个化学界0.10为16 meV，GAMMA _7和L_6均匀移动。在Ge（111）上的Sn_xGe（1-x）情况下，GAMMA _7和L_6不一致。对于x化学界0.10，在L_6，200 meV处发生大的单轴分裂。沿[111]的单轴应变的另一个有趣结果是，对于x <0.30，不存在直接到间接的能带隙跃迁。 Ge（001）上相干Sn_xGe_（1-x）的傅里叶变换红外光谱透射测量结果证明，应变引起的能带隙变化很小。

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