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首页> 外文会议>Symposium on Spatially Resolved Characterization of Local Phenomena in Materials and Nanostructures Dec 2-6, 2002 Boston, Massachusetts, U.S.A. >Characterisation of Nanocrystals by Scanning Capacitance Force Microscopy
【24h】

Characterisation of Nanocrystals by Scanning Capacitance Force Microscopy

机译：扫描电容力显微镜表征纳米晶体

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Scanning capacitance force microscopy is used to localise Sn nanometer sized structures embedded in a silicon oxide thin film. The capacitance variation occurring between probe and sample in presence of a metallic cluster modifies the oscillation amplitude of the AFM probe at twice the frequency of the applied voltage. The extreme localisation of the interaction due to the small geometries involved allows a lateral resolution of few nm. Issues related to the contrast mechanism are discussed with the support 2D finite element calculation of the electric field distribution between probe and sample.
机译：扫描电容力显微镜用于定位嵌入在氧化硅薄膜中的Sn纳米尺寸的结构。在存在金属簇的情况下，探针和样品之间发生的电容变化会以施加电压频率的两倍来改变AFM探针的振荡幅度。由于所涉及的几何形状小，相互作用的极端局限性使得横向分辨率只有几纳米。通过支持二维有限元计算探针和样品之间的电场分布，讨论了与对比机制有关的问题。

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