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首页> 外文会议>Twenty-Eighth Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition >1200 V SiC Schottky rectifiers optimized for #x2265; 250 #x00B0;C operation with low junction capacitance
【24h】

1200 V SiC Schottky rectifiers optimized for #x2265; 250 #x00B0;C operation with low junction capacitance

机译：1200 V SiC肖特基整流器，针对≥250°C的运行进行了优化，具有低结电容

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Electrical Characteristics of Industry's first commercially available 1200 V rated SiC Schottky rectifiers, specially designed for operation at ≥ 250 °C are presented. These high-temperature SiC rectifiers fabricated in 1, 5, and 20 A current ratings feature reverse leakage currents of < 3 mA/cm2 at 1200 V up to temperatures as high as 300 °C. GeneSiC's 1200 V/20A High Temperature Schottky (designated SHT) rectifier offers a 10x reduction in leakage current and a 23% reduction in junction capacitance when compared to its nearest SiC Schottky rectifier competitor. In addition, these SHT rectifiers demonstrate superior surge-current ratings, and temperature-independent switching capability up to their rated junction temperatures.
机译：介绍了业界首款专为在≥250°C的温度下运行而设计的市售1200 V额定功率SiC肖特基整流器的电气特性。这些额定电流分别为1、5和20 A的高温SiC整流器在1200 V高达300°C的温度下具有<3 mA / cm 2 的反向泄漏电流。与最接近的SiC肖特基整流器竞争对手相比，GeneSiC的1200 V / 20A高温肖特基（指定为SHT）整流器可将泄漏电流降低10倍，并将结电容降低23％。此外，这些SHT整流器还具有出色的浪涌电流额定值以及高达额定结温的温度无关开关能力。

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