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【6h】

真空阴极电弧及等离子体化学气相法沉积类金刚石碳膜的研究

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目录

文摘

英文文摘

第一章绪论

1.1类金刚石碳膜研究背景及意义

1.2类金刚石碳膜的结构与分类

1.3类金刚石碳膜的性能及应用

1.3.1类金刚石碳膜性能

1.3.2类金刚石碳膜的应用

1.4类金刚石碳膜的制备技术

1.4.1物理气象沉积(PVD)

1.4.2等离子体化学气相沉积(PCVD)

1.5类金刚石薄膜表征

1.6类金刚石碳膜改性

1.7类金刚石碳膜过渡层

1.8类金刚石碳膜生长机理模型

1.8.1热峰模型

1.8.2离子刻蚀模型

1.8.3亚表面注入模型

1.9本论文的主要研究内容

1.10本论文的技术路线

第二章试验设备及分析方法

2.1试验设备

2.2类金刚石碳膜分析方法

2.2.1扫描电子显微镜(SEM)

2.2.2原子力显微镜(AFM)

2.2.3光电子能谱(XPS)

2.2.4激光拉曼光谱

2.2.5纳米硬度计

第三章真空阴极电弧法制备类金刚石碳膜

3.1离子镀技术

3.2真空石墨电弧特征

3.3石墨靶材选用

3.4真空阴极电弧法制备类金刚石碳膜的成膜过程

3.5薄膜的制备

3.5.1真空阴极电弧法制备类金刚石碳膜工艺参数的确定

3.5.2基片的选择与预处理

3.5.3真空阴极电弧法镀膜的工艺流程

3.6基片负偏压对类金刚石碳膜的影响

3.6.1薄膜表面形貌观察

3.6.2激光拉曼光谱分析

3.6.3光电子能谱(XPS)分析

3.6.4硬度测试

3.7弧流对类金刚石碳膜的影响

3.7.1薄膜表面形貌观察

3.7.2光电子能谱(XPS)分析

3.8本章小节

第四章等离子体化学气相法沉积制备类金刚石碳膜

4.1PCVD法制备DLC膜的等离子体分析

4.1.1等离子体产生机理

4.1.2 Bulat-6离子源等离子体

4.2薄膜制备工艺参数的确定

4.3离子束流对类金刚石碳膜的影响

4.3.1薄膜AFM观察

4.3.2激光拉曼光谱分析

4.3.3光电子能谱(XPS)分析

4.3.4硬度测试

4.4加速电压对类金刚石碳膜的影响

4.5本章小节

第五章氮气对沉积DLC膜的影响

5.1试验参数确定

5.2薄膜表面形貌观察

5.3薄膜的XRD检测

5.4 CNx薄膜的显微硬度

5.5本章小节

第六章Ti→Ti C→DLC复合膜的制备及研究

6.1试验参数确定

6.2薄膜表面形观察和成分分析

6.3 TiC过渡层的XRD检测

6.4 Ti→TiC→DLC复合膜的结合力分析

6.5结果讨论

6.5本章小结

结论

本文的特色与创新处

对制备类金刚石碳膜的进一步设想

攻读硕士学位期间发表的论文

独创性声明

致谢

参考文献

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摘要

目的:用真空阴极电弧(VAC)法和等离子体化学气相(PCVD)沉积法制备了类金刚石碳(DLC)膜,研究了通过不同制备方法和工艺参数制备DLC膜的表面形貌、结构和硬度.采用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行了观察;采用X射线衍射(XRD)、激光拉曼光谱(Raman)对DLC膜结构进行了检测,用光电子能谱(XPS)对薄膜SP<'3>和SP<'2>含量进行了测试;采用了纳米硬度计检测了薄膜的硬度.研究结果表明:采用VAC法入射粒子的能量和入射粒子的密度都存在一个阈值,当弧流为45A时,最佳负偏压值为-175V,此时DLC膜中最高SP<'3>键含量为49.86%;当弧流为65A时,最佳负偏压值为-100V,此时DLC膜中最高SP<'3>键含量为56.32%,纳米硬度值为17.1±7.72GPa;当负偏压为-100V时,最佳弧流为65A.仅当通过调节入射粒子能量和入射粒子的密度制备DLC膜时,二者存在一个最佳搭配值,在这个最佳搭配值条件下制备的DLC膜中SP<'3>含量为最高.采用PCVD法制备DLC膜时,随着入射粒子的能量和入射粒子的密度的增加所制备DLC膜中SP<'3>含量也随之增加,在加速电压和离子束流同时达到了设备的额定值时,DLC膜中SP<'3>键含量最高为31.95%,采用Bulat-6离子源制备DLC膜时,由于该离子源的功率较低,不能进一步通过提高其加速电压和离子束流来提高DLC膜中SP<'3>含量.通过对DLC膜的表面形貌的观察发现,采用VAC法制备的DLC膜表面有大的石墨颗粒的存在,严重的影响了薄膜的质量,使得薄膜表面硬度严重不均,有的相差达±7GPa,而采用PCVD法制备的DLC膜表面十分光滑,表面粗糙度Ra为0.34nm.分析了石墨靶的起弧性质和起弧稳定性,选择了高纯、高强的石墨做为靶材;通过实验证实了Bulat-6离子源产生等离子体呈空间管状分布,大部分粒子流以直线的形式运动.研究了通入不同流量N<,2>对VAC法制备的DLC膜的影响.当通入N<,2>为24.0ml/min时,薄膜硬度降低(由原来的16.67 Gpa降低为9.57 Gpa),而当通入N2为58.2ml/min时,薄膜硬度又增加为18.61GPa.研究了通入不同流量CH<,4>对TiC过渡层的影响,研究发现在本文试验的参数范围内,随着CH<,4>的流量的增加,C和Ti的原子数比值增加,DLC膜与基体的结合力越好.

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