首页> 中文学位 >微电子芯片冷却系统的强化传热机理与性能优化研究
【6h】

微电子芯片冷却系统的强化传热机理与性能优化研究

代理获取

目录

文摘

英文文摘

论文说明:物理量及符号说明

声明

第一章 绪论

1.1 研究背景

1.1.1 电子封装发展概述

1.1.2 电子封装的散热要求

1.2 电子元器件冷却散热技术现状分析

1.3 热电冷却电子芯片散热技术研究进展与评述

1.3.1 理论分析与计算研究进展

1.3.2 实验研究进展

1.3.3 数值模拟研究进展

1.3.4 研究进展与现状的分析评价

1.4 本文的主要研究内容与课题来源

1.5 本文的特色与创新点

第二章 微电子芯片热电冷却系统传热特性的实验研究

2.1 热电制冷理论分析

2.1.1 热电制冷原理

2.1.2 热电制冷模块传热模型

2.2 微电子芯片热电冷却实验

2.2.1 实验目的

2.2.2 实验原理

2.2.3 实验装置设计

2.2.4 实验过程

2.3 裸芯片热物性分析

2.3.1 裸芯片散热性能测试

2.3.2 导热系数计算与拟合

2.4 芯片表面温度Tchip的影响因素分析

2.4.1 芯片功率Q0对Tchip的影响

2.4.2 TEC工作电流/对Tchip的影响

2.4.3 风扇电压Uf对Tchip的影响

2.5 TEC工作电流对其性能参数的影响

2.5.1 I对TEC冷热端温差的影响

2.5.2 I对制冷量、散热量和输入功率的影响

2.5.3 I对制冷系数的影响

2.6 热电冷却系统传热特性与综合分析

2.6.1 散热系统热阻分析模型

2.6.2 模拟芯片与TEC冷面的界面接触热阻θ1

2.6.3 TEC自身热阻θ2

2.6.4 系统热阻θtotal

2.6.5 热电制冷与传统强制空气对流的性能对比

2.7 实验误差分析

2.8 小结

第三章 微电子芯片热电冷却过程的数值模拟研究

3.1 解析区域的物理模型及网格划分

3.1.1 解析对象及其物理模型

3.1.2 解析区域的网格划分

3.1.3 网格密度的影响

3.2 数学模型与定解条件

3.2.1 控制方程组

3.2.2 控制方程的离散化

3.2.3 边界条件

3.2.4 材料物性参数

3.3 热电冷却模型分析及其载荷定义

3.4 计算结果与分析

3.4.1 计算结果的实验验证

3.4.2 Tchip随TEC工作电流的变化

3.4.3 TEC性能参数随工作电流I的变化

3.4.4 芯片表面温度随Q0的变化关系

3.4.5 TEC性能参数随Q0的变化关系分析

3.5 小结

第四章 微电子芯片热电冷却系统结构优化与性能分析

4.1 TEC热面热沉的结构优化研究

4.1.1 结构优化理论分析

4.1.2 计算模型

4.1.3 计算结果分析

4.1.4 翅片高度的影响

4.1.5 热沉底座厚度的影响

4.1.6 翅片宽度与间距的影响

4.2 TEC材料性能的影响分析

4.2.1 TEC物性参数调整分析

4.2.2 热电材料性能优化分析

4.3 复合热电冷却散热系统研究

4.3.1 温差发电原理

4.3.2 温差发电性能分析

4.3.3 复合热电冷却散热系统性能分析

4.4 小结

第五章 微电子芯片热电冷却系统的程序设计与参数优化

5.1 微电子芯片热电冷却系统的设计计算

5.1.1 系统设计研究现状与评述

5.1.2 系统设计计算的理论分析

5.1.3 系统设计与计算流程

5.2 热电冷却系统设计软件的开发及应用实例

5.3 微电子芯片热电冷却系统的优化选型

5.3.1 优化模型

5.3.2 优化模型的求解

5.4 小结

第六章 微电子芯片射流冷却过程的传热特性与系统性能研究

6.1 射流理论分析

6.1.1 射流的流动特性

6.1.2 射流的传热特性

6.1.3 射流冷却技术的研究进展与分析

6.2 微电子芯片射流换热实验

6.2.1 实验装置与测试系统设计

6.2.2 实验准则数

6.2.3 平均换热系数

6.2.4 驻点区换热分析

6.2.5 平均换热效果分析

6.3 微电子芯片旋转射流冷却的换热特性分析

6.3.1 计算模型

6.3.2 Nu的径向分布

6.3.3 平均表面传热系数

6.4 微电子芯片射流冷却过程数值模拟

6.4.1 物理模型与网格划分

6.4.2 边界条件设置

6.4.3 计算结果及分析

6.5 三种冷却方式性能分析与评价

6.5.1 热型线法分析

6.5.2 不同散热方式性能对比分析

6.6 小结

第七章 结论与展望

7.1 结论

7.2 展望

参考文献

附 录

攻读博士学位期间取得的研究成果

致 谢

展开▼

摘要

高性能的微电子芯片是一个国家科技实力的体现,也是现代军工技术的核心。然而,微电子芯片的性能、可靠性与寿命一直受工作温度及其分布均匀性的影响。随着电子封装集成度的迅速提高,微电子芯片结构尺寸的不断减小以及功率密度的持续增加,芯片的散热问题及温度分布均匀性已成为影响芯片性能亟待解决的瓶颈。相对于传统的强制空气对流冷却方式,热电冷却方式以其控制精度高和芯片表面温度的均匀性好等优点引起了人们的高度关注。然而,由于材料性能的限制以及系统性能影响因素的复杂性,对其强化传热特性的分析以及系统应用性能的研究才刚刚起步,还不够深入。
   本论文针对微电子芯片热管理技术的研究背景和传统冷却技术的不足,首次建立微电子芯片热电冷却装置及其性能测试系统。在广泛查阅文献资料,分析热电冷却技术的研究现状的基础上,采用理论分析、试验测试和数值模拟相结合的研究方法,借助现代先进的红外热成像温度测试技术,对热电冷却系统的强化传热过程与应用性能进行了深入系统研究。主要研究工作与结论包括以下几个方面:
   1.为了深入研究微电子芯片热电冷却过程的强化传热机理,分析热电冷却系统应用性能,研究首次研制了微电子芯片热电冷却实验装置,设计了性能测试系统。根据实验测试结果,经拟合计算,获得了芯片导热系数随温度变化的函数关系式。测试分析结果表明:芯片功率、热电冷却器(thermoelectric cooler,TEC)工作电流以及TEC热面散热情况都是芯片表面温度的重要因素;TEC工作电流对其制冷量、冷热面温差和制冷效率有直接影响,因而可以通过调节工作电流来精确控制芯片表面温度;采用热电冷却和强制对流冷却的芯片表面温度分布标准差分别为0.193和0.745,热电冷却方式的均匀性明显好于强制对流冷却。
   2.为了解决试验中模拟芯片功率的局限性,排除外界条件对测试结果的影响,本研究根据热电效应产生的机理,建立新的热电冷却过程计算模型并进行了试验验证。利用验证后计算模型对热电冷却过程进行模拟计算,结果表明:对于不同的芯片功率,热电冷却系统都存在一个最佳性能状态,在此最佳状态下,TEC热面的热量与芯片发热量在芯片表面达到了“势力平衡”,芯片表面温度最低。在特定芯片功率下,芯片表面温度随TEC工作电流按二次函数关系变化;不同芯片功率下,使冷却系统达到最佳性能状态的TEC工作电流以及此时的芯片表面温度随芯片功率按一次函数关系变化;在芯片发热功率小于60W时,热电冷却系统基本能够满足其散热要求。
   3.为了改善微电子芯片热电冷却系统的散热性能,本研究从系统结构和材料性能方面进行了优化分析。针对各影响参数之间复杂的耦合关系,本研究采用多参数优化理论,结合数值模拟方法,对TEC热面热沉的结构进行优化,获得最佳的热沉结构为:翅片高度28.0mm,翅片间距2.0mm,翅片厚度1.0mm,底座厚度4.0mm。将优化后的新型热沉应用于微电子芯片热电冷却系统对发热功率为20W的微电子芯片进行冷却,系统总热阻减小了0.018℃·W-1。开发了一套复合热电冷却系统,该复合热电冷却系统可以有效提高散热能力,使芯片表面温度降低30%;并且,分流的热量可以产生电能,为热电冷却系统节能环保运行提供了一种新的思路。通过对热电材料无量纲优值(ZT)的分析发现:TEC材料的ZT值对热电冷却系统的性能有着重要影响,ZT值越大,冷却系统的散热能力越强;当TEC的ZT=1.0时,冷却系统对功率为60W的芯片进行散热,芯片表面温度为84.7℃,要低于传统强制对流冷却的85.6℃,热电冷却系统的散热能力要强于传统的强制对流冷却系统。
   4.为了更加快捷地进行微电子芯片的热设计,分析影响热电冷却系统性能的复杂因素,本研究中以实验测试和数值模拟计算结果为基础,采用Matlab语言开发了新型热电冷却系统程序设计和优化选型软件。该软件首次将研究中实验测试和数值模拟的计算结果作为经验数据,可根据用户自定义的热设计要求对TEC进行优化选型,很好地将理论研究成果应用到了工程实际中,提高了软件的参考价值。
   5.结合对旋转射流传热特性及其散热性能的研究结论,首次采用热型线法和热阻网络分析法对三种微电子芯片的冷却方式进行对比分析与综合评价,结论为:传统的强制风冷散热方式还将普遍应用于对芯片温度精度和均匀性要求不太高的芯片散热场合。冲击射流凭借其很高的散热能力,一般应用于计算机工作站中高热流密度芯片的散热冷却。现有热电冷却系统基本能够满足主流芯片的散热要求,而且能够精确控制芯片表面温度,使芯片表面温度分布的均匀性好。它在对芯片表面温度稳定性和均匀性要求较高的场合有着很好的应用前景。在冷却系统热负荷低于30W,其散热效果要好于其它两种散热方式。
   本文对微电子芯片冷却系统强化传热特性及应用性能的研究丰富了芯片热管理的理论体系,为微电子芯片的热设计提供重要的参考数据。有关热电冷却系统强化传热特性的研究成果为热电冷却技术的应用打下了坚实的理论基础,并指明了方向。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号