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铁电薄膜的制备及热释电红外探测器相关问题研究

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第一章绪论

1.1晶体物理性能与晶体对称性

1.2晶体的铁电性

1.3铁电材料的发展及应用

1.4铁电薄膜的制备方法

1.4.1溅射法

1.4.2溶胶-凝胶法

1.4.3化学气相沉积法(CVD)

1.4.4脉冲激光沉积法(PLD)

1.5铅系铁电薄膜的结构

1.5.1钙钛矿结构

1.5.2钛酸铅的晶体结构

1.5.3锆钛酸铅的晶体结构

1.6 Sol-Gel方法制备PT,PZT薄膜

1.7 Sol-Gel方法制备铁电薄膜的机理

1.8 Sol-Gel法制备PT,PZT薄膜的研究范围

1.8.1下电极对薄膜性能的影响

1.8.2 PT,PZT薄膜的相转变

1.8.3铁电复合膜的研究现状

1.8.4 PZT薄膜的外延生长

1.8.5应力对薄膜性能的影响

1.8.6 PZT薄膜的应用研究

1.9 PZT薄膜的极化疲劳机制

1.10热释电红外探测器

1.11热释电探测器的结构

1.12复合膜热绝缘结构

1.13热释电探测器的噪声

1.13.1温度噪声

1.13.2热噪声

1.13.3放大器噪声

1.14镍酸镧薄膜的研究现状

1.15LNO与铁电薄膜的异质结结构

1.16薄膜材料的表征手段

1.16.1 X—射线衍射分析技术

1.16.2扫描电子显微镜(SEM)

1.16.3原子力显微镜(AFM)

1.17研究内容

第二章PT,PZT干凝胶的制备及复合薄膜热处理工艺的确定

2.1引言

2.2减压蒸馏的原理及装置

2.2.1减压蒸馏的原理

2.2.2减压蒸馏的装置

2.3 PT,PZT干凝胶的制备

2.3.1 Pb1.0Ti1.0O3,Pb1.0(Zr0.50Ti0.50)O3溶胶的制备

2.3.2采用减压蒸馏的方法制备PT,PZT干凝胶

2.4PT,PZT干凝胶的红外吸收光谱

2.5 PT,PZT干凝胶的DSC-TG曲线

2.6溶胶对PZT薄膜微观结构的影响

2.7预处理方式PZT薄膜微观结构的影响

2.8 PZT薄膜厚度的测试

2.9复合薄膜热处理工艺的确定

2.9.1微观结构

2.9.2介电性能

2.9.3 I-V曲线

2.9.4 EDS分析

2.10本章结论

第三章以Pt/Ti/SiO2/Si为底电极的PT/PZT薄膜的性能表征

3.1引言

3.2复合薄膜的制备

3.3以PT为主的复合薄膜的性能

3.3.1以PT为主的复合薄膜的微观结构

3.3.2以PT为主的复合薄膜的AFM图谱

3.3.3以PT为主的复合薄膜的介电性能

3.3.4以PT为主的复合薄膜的P-E曲线

3.3.5以PT为主的复合薄膜的I-V曲线

3.4以PZT为主的复合薄膜的性能

3.4.1以PZT为主的复合薄膜的微观结构

3.4.2以PZT为主的复合薄膜的AFM图谱

3.4.3以PZT为主的复合薄膜的介电性能

3.4.4以PZT为主的复合薄膜的P-E曲线

3.4.5以PZT为主的复合薄膜的I-V曲线

3.5本章结论

第四章 LaNiO3薄膜的制备及性能表征

4.1引言

4.2原料

4.2.1原料的选择

4.2.2原料的分析

4.3 LNO溶胶的合成

4.4 LNO的TG-DSC曲线

4.5LNO薄膜的热处理工艺

4.6 LNO/Si(100)薄膜的性能

4.6.1微观结构

4.6.2表面形貌

4.6.3 LNO/si(100)的电阻率

4.7LNO/SiO2/Si薄膜的性能

4.7.1微观结构

4.7.2表面形貌

4.8 LNO/Pt/Ti/SiO2/Si薄膜的性能

4.8.1微观结构

4.8.2表面形貌

4.9裂纹处的元素分析

4.10本章结论

第五章PT薄膜热释电红外探测器的制备

5.1引言

5.2光刻工艺综述

5.2.1光刻技术概述

5.2.2光刻胶的发展

5.3光刻工艺

5.3.1涂胶

5.3.2前烘

5.3.3对位曝光

5.3.4显影

5.3.5坚膜

5.3.6腐蚀

5.3.7去胶

5.3.8剥离

5.4硅片的清洗

5.5复合膜热绝缘结构的研究现状

5.6多孔二氧化硅薄膜的制备及性能表征

5.6.1多孔二氧化硅薄膜的制备及热处理方式

5.6.2多孔二氧化硅溶胶的DSC-TG曲线

5.6.3多孔二氧化硅薄膜的红外吸收光谱

5.6.4多孔二氧化硅薄膜的厚度及孔率表征

5.6.4多孔二氧化硅薄膜的表面形貌

5.7过渡二氧化硅薄膜的制备及性能表征

5.7.1过渡二氧化硅溶胶的制备

5.7.2过渡二氧化硅薄膜的厚度和孔率表征

5.7.3过渡二氧化硅薄膜的表面形貌

5.8复合薄膜热绝缘结构

5.9下电极的制备及图形化

5.10铁电薄膜的制备及图形化

5.11上电极的制备

5.12本章结论

第六章PZT/LNO异质结结构及PT薄膜的热释电性能

6.1引言

6.2 PZT/INO异质结结构的微观形貌和介电性能

6.2.1微观结构

6.2.2表面形貌

6.2.3介电性能

6.3以LNO为吸收层的PT薄膜热释电红外探测器的制备

6.3.1以LNO为吸收层的PT薄膜的微观结构

6.3.2以LNO为吸收层的PT薄膜的表面形貌

6.3.3加入复合膜绝热层后的PT薄膜的的介电性能

6.3.4加入复合膜绝热层后PT薄膜的I-V曲线

6.4红外探测器的吸收层材料

6.4.1金属薄膜

6.4.2金属黑化层

6.4.3金属薄膜上的防反射涂层

6.5热释电探测器的性能参数

6.5.1响应度

6.5.2噪声等效功率

6.5.3探测率

6.6不同吸收层的PT薄膜的热释电响应

6.6.1热释电响应测试系统

6.6.2不同吸收层的PT薄膜的D*和Rv

6.7本章结论

第七章LaNiO3薄膜的红外光学性能

7.1红外光谱法概述

7.2红外吸收的基本原理

7.3红外光谱仪

7.4 LaNiO3薄膜红外光学性能的表征

7.4.1 Si(100)的红外透射光谱

7.4.2不同热处理温度的LNO/Si(100)薄膜的红外透射光谱

7.4.3不同热处理温度的LNO/Pt/SiO2/Si的红外吸收光谱

7.4.4不同层数的LNO/Si(100)薄膜的红外吸收光谱

7.5本章结论

第八章结论与展望

8.1结论

8.2进一步工作的方向

致谢

参考文献

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摘要

铁电薄膜和导电氧化物的研究是当代信息科学技术的热点,论文主要围绕PZT铁电薄膜及导电氧化物LNO的制备,性能表征以及它们在热释电红外探测器上的应用进行研究,得到的结果可以概括为几个方面:1.以醋酸铅,钛酸四丁酯和正丁氧锆为原料,乙酰丙酮为鳌合剂,采用减压蒸馏的方法制备PT,PZT干凝胶。将干凝胶用乙二醇甲醚溶解后,直接在500℃加热20分钟,重复10次后在600℃下热处理得到PT/PZT薄膜。XRD结果表明薄膜是纯钙钛矿结构,(110)为主晶面。当PT的层数与PZT的层数相同时,a(110)最大,PT含量越多,a(110)越小。PT薄膜占PT/PZT总薄膜厚度的40%~80%时,薄膜的均方根粗糙度最小,表面均匀、致密。随着PT薄膜层数的不断减少,PT/PZT复合薄膜的介电常数从低介电常数向高介电常数变化,复合薄膜中PT层数越少,介电损耗越大。复合薄膜中,PT3/PZT7、PT8/PZT2具有最好的铁电性,它们的Pr和Ec分别为19.4μC/cm2,150kV/cm;17.1μC/cm2,142 kV/cm。随着外加电压的升高,薄膜的漏电流逐渐增加,当PT含量比较多时,正向电流大于反向电流,当PZT含量比较多时,反向电流大于正向电流。测量电压为+10V时,PT8/PZT2薄膜的漏电流最大,漏电流密度为1.07×10-5A/cm2;测量电压为-10V时,PT3/PZT7的漏电流最大,漏电流密度为7.64×10-6A/cm2。2.采用Sol-Gel方法,以硝酸镧和醋酸镍为原料,乙二醇甲醚为溶剂,乙醇胺为螯合剂合成镍酸镧的溶胶,并分别在Si(100),SiO2Si,Pt/Ti/SiO2/Si基底上制备LNO薄膜。LNO/Si(100)和LNO/Pt/Ti/SiO2/Si是赝立方结构,LNO/SiO2/Si是六方结构。LNO/Si(100)薄膜的电导率随着薄膜厚度的增加,电阻率逐渐减小,当薄膜达到300nm后,电导率保持在7.5×10-4O.cm。650℃热处理的LNO/Si(100)薄膜致密且没有裂纹,Rms为0.846nm。LNO/SiO2/Si,LNO/Pt/Ti/SiO2/Si薄膜表面上则有比较多的裂纹。经EDS分析,裂纹处的成分与非裂纹处的相同,是一种微裂纹。3.PZT/LNO异质结结构中含有LNO薄膜的赝立方相和PZT薄膜的钙钛矿相,表面不致密。PZT的介电常数随频率的升高从1kHz的662降低到1000kHz的130;介电损耗则从1kHz的0.0399增加到1000kHz的1.5416。4.加入绝热层后的LNO/PT/Pt薄膜中包括钙钛矿和赝立方两种相结构,PT薄膜使LNO薄膜a(100)从0.23上升到0.49;薄膜表面平整致密,Rms为1.384nm;100kHz时。PT薄膜的介电常数为104,介电损耗为0.030;在+10V的测量电压下,PT薄膜的漏电流密度为3.33×10-5A/cm2,-10V时的漏电流密度为1.94×10-5A/cm2。5.LNO薄膜有很好的红外吸收性能,在波数为1200cm-1~4000cm-1,不同温度热处理的LNO/Si(100)的透射率在26%以下;650℃热处理的LNO薄膜的反射率最高;LNO/Si(100)薄膜的红外吸收率与LNO的厚度有很大的关系。6.确定了光刻技术的各种参数,绝热层采用复合膜结构,制备PT薄膜红外探测器。在10Hz的测量频率下,以LNO为吸收层的PT薄膜的D*为1.11×107cm.Hz1/2/W,电压响应度等于1.46×103V/W。关键词: 快速热处理,PT,PZT,PT/PZT复合薄膜,溶胶凝胶法,PZT/LNO异质结结构,LNO,光刻,红外透射率,星探测率,电压响应度

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