MOVPE生长AlN及GaN的表面反应研究

声明

第一章 绪论

1.1 引言

1.2 MOVPE生长的原理

1.3 MOVPE生长的化学反应

1.3.1 AlN的MOVPE生长概述

1.3.2 GaN的MOVPE生长概述

1.4 MOVPE生长中的表面反应研究

1.4.1含Al、含Ga物种的吸附与扩散研究

1.4.2 NH3的吸附与分解吸附

1.4.3 NH2或H覆盖的AlN或GaN表面

1.5 存在问题及研究内容

1.5.1 存在的问题

1.5.2 研究内容

第二章 理论基础和计算方法

2.1固体表面及结构

2.1.1理想表面

2.1.2清洁表面

2.1.3实际表面

2.2 表面吸附与扩散理论

2.2.1物理吸附

2.2.2化学吸附

2.2.3扩散

2.3 计算化学概述

2.3.1 量子化学理论

2.3.2 密度泛函理论

2.3.3 Kohn-Sham方程与交换相关能求解近似方法

2.4 Materials Studio软件

2.5 相关的化学与物理量定义

2.5.1吸附能

2.5.2 Mulliken电荷数量比例与化学键数量比例

2.5.3电子态密度和电荷密度

2.6 本章小结

第三章 MMAl混合覆盖AlN(0001)-Al面的吸附与扩散

3.1 计算模型

3.2 结果与讨论

3.2.1 MMAl在表面的吸附

3.2.2 MMAl吸附前后键长的变化

3.2.3 MMAl在表面的扩散

3.3 本章小结

第四章 DMAlNH2在混合覆盖AlN(0001)-Al面的吸附与扩散

4.1 计算模型

4.2 结果与讨论

4.2.1 DMAlNH2在NH2∶H为1∶3的混合覆盖的AlN(0001)-Al面吸附与扩散

4.2.2 DMAlNH2在NH2∶H为1∶1的混合覆盖的AlN(0001)-Al面吸附与扩散

4.2.3 DMAlNH2在NH2∶H为1∶3的混合覆盖的AlN(0001)-Al面吸附与扩散

4.3 本章小结

第五章 MMGa在混合覆盖GaN(0001)-Ga面的吸附

5.1 计算模型

5.2 结果与讨论

5.2.1 MMGa在表面的吸附

5.2.2 MMGa在表面吸附时的态密度图及差分密度电荷图

5.2.3 MMGa吸附前后键长的变化

5.3 本章小结

第六章 全文总结与展望

6.1 全文总结

6.2 存在的不足

6.3 工作展望

参考文献

致谢

攻读硕士学位期间发表的论文