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Harsh Environment Silicon Carbide UV Sensor and Junction Field-Effect Transistor.

机译：恶劣环境的碳化硅紫外线传感器和结型场效应晶体管。

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摘要

A harsh environment can be defined by one or more of the following: High temperature, high shock, high radiation, erosive flow, and corrosive media. Among all the harsh environment applications, high temperature applications have drawn lots of attention due to the emerging activity in automotive, turbine engine, space exploration and deep-well drilling telemetry. Silicon carbide has become the candidate for these harsh environment applications because of its wide bandgap, excellent chemical and thermal stability, and high breakdown electric field strength. This dissertation details the two building blocks of high-temperature UV sensing chip, namely Ultraviolet sensor and transistors. High temperature performance of silicon carbide metal-semiconductor-metal UV sensor is characterized at high temperatures for the first time. The sensor exhibits high photo-to-dark current ratio and fast rise and fall time even at high temperatures. Complementary SiC junction field-effect transistors of different gate configurations are proposed, fabricated and characterized from room temperature to 600 °C for the first time. High intrinsic gains at high temperatures suggest that complementary junction field-effect transistors are suitable devices for high temperature operational amplifier.
机译：可以通过以下一项或多项来定义恶劣的环境：高温，高冲击，高辐射，侵蚀性流动和腐蚀性介质。在所有苛刻的环境应用中，由于在汽车，涡轮发动机，太空探索和深井钻井遥测领域的新兴活动，高温应用引起了很多关注。由于碳化硅的带隙宽，出色的化学和热稳定性以及高击穿电场强度，它们已成为这些恶劣环境应用的候选者。本文详细介绍了高温紫外线传感芯片的两个组成部分，即紫外线传感器和晶体管。碳化硅金属-半导体-金属紫外线传感器的高温性能首次在高温下得到了表征。该传感器即使在高温下也具有高的光暗电流比和快速的上升和下降时间。首次提出，制造和表征了从室温到600°C的不同栅极配置的互补SiC结场效应晶体管。高温下的高本征增益表明，互补结型场效应晶体管是高温运算放大器的合适器件。

著录项

  • 作者

    Lien, Wei-Cheng.;

  • 作者单位

    University of California, Berkeley.;

  • 授予单位 University of California, Berkeley.;
  • 学科 Electrical engineering.
  • 学位 Ph.D.
  • 年度 2013
  • 页码 99 p.
  • 总页数 99
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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