首页> 中国专利> 带有结型场效应晶体管的碳化硅半导体器件及其制造方法

带有结型场效应晶体管的碳化硅半导体器件及其制造方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

一种碳化硅半导体器件包括衬底(1、31)和结型场效应晶体管。所述晶体管包括：第一半导体层(2、32)，其设置在衬底(1、31)上；第一栅极层(3、33)，其设置在第一半导体层(2、32)的表面上；第一沟道层(7、36)，其在衬底(1、31)上与第一栅极层(3、33)相邻；第一源极层(4、40)，其电连接于第一沟道层(7、36)；第二栅极层(8、37)，其与第一沟道层(7、36)相邻以将第一沟道层(7、36)夹在中间；第二沟道层(9、38)，其与第二栅极层(8、37)相邻以将第二栅极层(8、37)夹在中间；第三栅极层(10、39)，其与第二沟道层(9、38)相邻以将第二沟道层(9、38)夹在中间；和第二源极层(11、40)，其电连接于第二沟道层(9、38)。

著录项

公开/公告号CN100485970C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-05-06

原文格式PDF
申请/专利权人株式会社电装;
展开▼

申请/专利号CN200410092645.9
发明设计人拉杰什·库马尔;安德烈·米赫伊勒;弗洛林·乌德雷亚;
展开▼

申请日2004-11-15
分类号
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人王英
地址日本爱知
入库时间 2022-08-23 09:02:17

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-11-05

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/808 授权公告日:20090506 终止日期:20181115 申请日:20041115

专利权的终止
2009-05-06

授权

授权
2009-05-06

授权

授权
2005-07-20

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-07-20

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-05-18

公开

公开
2005-05-18

公开

公开

查看全部

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 带有结型场效应晶体管的碳化硅半导体器件及其制造方法 [P] . 中国专利： CN100485970C . 2009.05.06
2. 无需离子注入来制造垂直结型场效应晶体管和双极结型晶体管的方法以及由该方法制造的器件 [P] . 中国专利： CN102549752B . 2014.08.20
3. Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method thereof with complementary junction field effect transistor [P] . 日本专利： JP5126245B2 . 2013-01-23

机译：具有互补结型场效应晶体管的碳化硅半导体器件及其制造方法
4. Silicon carbide semiconductor device having junction field effect transistor and method for manufacturing the same [P] . 美国专利： US7691694B2 . 2010-04-06

机译：具有结型场效应晶体管的碳化硅半导体器件及其制造方法
5. Silicon carbide semiconductor device having junction field effect transistor and method for manufacturing the same [P] . 美国专利： US7230275B2 . 2007-06-12

机译：具有结型场效应晶体管的碳化硅半导体器件及其制造方法