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杜正伟; 龚克; 孟凡宝; 杨周炳;
清华大学微波与数字通信国家重点实验室,北京,100084;
中国工程物理研究院应用电子学研究所,成都527信箱,成都,610003;
砷化镓高功率高速光导开关; 吸收边漂移; 延迟时间; 吸收系数; 吸收因子;
机译:激光触发大功率砷化镓光电导开关抑制表面闪络的实验研究%激光触发大功率砷化镓光电导开关抑制表面闪络的实验研究
机译:高功率砷化镓 - 镓异质结构FET的热表面界面
机译:飞秒激光脉冲后砷化镓吸收层的形成和砷化镓向金属态的快速转变
机译:砷化镓或砷化镓注入的砷化镓中的皮秒寿命和高电阻率:快速光电应用的替代材料
机译:高速,高功率镓铟磷化铟/砷化镓HBT及其在微波整体集成电路(MMICS)中的应用
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机译:批量砷化镓和砷化镓/铝镓砷多量子阱的非线性吸收率和折射率的测量与建模
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机译:用于生产砷化镓衬底晶片的掺杂砷化镓单晶的制备包括熔化砷化镓起始材料,然后使砷化镓熔化
机译:由砷,硅和锗掺杂的砷化镓中的砷化镓溶液制备砷化镓晶体的方法
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