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张卫东; 郝跃; 汤玉生;
西安电子科技大学,西安,710071;
上海交通大学,上海,200030;
深亚微米MOS器件; 热载流子; 可靠性; 退化; 模型;
机译:高能尾电子是深亚微米N-MOSFET最坏情况下热载流子应力退化的机理
机译:深亚微米沟槽栅PMOSFET中热载流子产生机理和热载流子免疫
机译:深亚微米沟槽栅PMOSFET的热载流子生成机理和热载流子免疫
机译:超深亚微米SOI pMOSFET的沟道热载流子退化研究
机译:蒙特卡洛研究了低功率深亚微米n-MOSFET中的热载流子退化和器件性能。
机译:静电放电应力作用下的全栅硅纳米线场效应晶体管的退化机理–一种建模方法
机译:NMOSFET热载流子引起的退化的综合物理建模
机译:比较热载流子引起具有H或D钝化界面的0.25(微米)mOsFET中的退化
机译:估计MOS晶体管的热载流子寿命的方法以及热载流子退化的仿真
机译:深度增强CoSi2形成形成深亚微米MOSFET中硅结的CoSi2深MOSFET MOSFET。
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