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NBT; 热载流子; HC效应; p-MOSFET; 退化; 正反馈机理; 氧化电荷;
机译:AC / DC组合应力作用下热载流子引起的再氧化氮氧化物n-MOSFET退化的机理
机译:多晶硅TFT,MOSFET和SOI器件中热载流子引起的退化的形成和退火,以及与/ spl alpha / Si:H中状态创建的相似性
机译:硅纳米线全能SONOS MOSFET中热载流子和PBTI引起的退化
机译:NBT引起的热载流子(HC)效应:p-MOSFET退化中的正反馈机制
机译:蒙特卡洛研究了低功率深亚微米n-MOSFET中的热载流子退化和器件性能。
机译:石墨烯中热载流子的量子Čerenkov效应引起的高效等离子体发射
机译:比较热载流子引起具有H或D钝化界面的0.25 {微米} mOsFET的退化
机译:比较热载流子引起具有H或D钝化界面的0.25(微米)mOsFET中的退化
机译:交流(AC)应力测试电路,评估AC应力引起的热载流子注入(HCI)退化的方法以及用于HCI退化评估的测试结构
机译:交流(AC)应力测试电路,评估AC应力引起的热载流子(HCI)退化的方法以及用于HCI退化评估的测试结构
机译:N MOSFET器件中的热载流子效应最小化的方法
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