BMHMT—Bi—MOS混合模式晶体管

陈萍; 李志坚; 刘理天

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本文提出了一种Ｂｉ－ＭＯＳ混合模式晶体管──ＢＭＨＭＴ，其本质上为表面ＭＯＳ与ＬＢＪＴ共同工作的四端ＭＯＳＦＥＴ，工艺上与ＭＯＳＦＥＴ全兼容。ＢＭＨＭＴ具有比单一ＭＯＳ、单一ＬＢＪＴ及他们的简单叠加更高的电流驱动能力，ＢＭＨＭＴ作为一种发射结具有赝异质结特性的器件，在输出电流为每单位宽度０．５ｍＡ时电流放大倍数可高达２５００（Ｖ＿（ＢＳ）＝０．６２Ｖ），在小的基区电流下，ＢＭＨＭＴ的短沟效应明显小于ＭＯＳＦＥＴ。ＰＩＳＣＥＳ模拟结果与实验结果成功地证明了ＢＭＨＭＴ的以上特点。

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来源
《电子学报》 |1995年第11期|11|共1页
作者
陈萍; 李志坚; 刘理天;
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作者单位

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN322.8;
关键词
混合模式; 横向双极管; MOSFET; 双极晶体管;

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