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毕大炜; 张正选; 张帅;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室;
SIMOX; SOI; 总剂量辐射效应; Pseudo—MOS晶体管;
机译:不同布局的SOI NMOS晶体管中总剂量引起的边缘效应
机译:短沟道NMOS / SOI晶体管中的总剂量感应锁存器
机译:总电离剂量辐射对先进的体CMOS技术器件中NMOS寄生晶体管的影响
机译:SOI 4门晶体管(G〜4-FET)的总剂量辐射硬度
机译:功率垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管中的总电离剂量效应。
机译:使用热致发光(TLD)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)剂量计对颌面区域进行有效剂量评估:一项比较研究
机译:使用NPS Linac对硬化的SOI双极晶体管的总剂量辐射效应
机译:使用NpsLINaC对硬化sOI双极晶体管的总剂量辐射效应
机译:内容可寻址存储单元具有带有比较电路的存储电路,该比较电路具有NMOS晶体管和隔离晶体管,分别注入各自的有源区中,其中所有晶体管均垂直放置
机译:抗电离辐射全吸收剂量效应的CMOS / SOI晶体管结构的选择方法
机译:CMOS设备,包括一个NMOS晶体管和一个漏极/源极区,该NMOS晶体管具有重复的漏极和源极区,而PMOS晶体管则具有一个硅/锗材料
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