NMOS晶体管的总剂量辐射效应仿真

杨变霞; 李平; 刘洋

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分析了MOS晶体管总剂量辐射效应的理论模型,并在此基础上给出了主要作用机理的仿真方法,用Sentaurus TCAD器件仿真软件对不同栅氧厚度的NMOS晶体管辐射前后的电学特性进行了模拟仿真,通过对比研究不同辐射总剂量下NMOS晶体管的I-V特性曲线,得出了NMOS晶体管阈值电压漂移与辐射总剂量的关系。与实验数据进行了对比验证,并准确计算出仿真中理论模型中的修正参数fot和K,使仿真结果和实验结果能够很好地吻合,为CMOS集成电路的总剂量辐射效应的仿真研究提供依据。

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来源
《固体电子学研究与进展》 |2015年第2期|187-190|共5页
作者
杨变霞; 李平; 刘洋;
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作者单位

电子科技大学;

电子薄膜与集成器件国家重点实验室;

成都610054;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 BICMOS（双极-MOS混合）集成电路;
关键词
Sentaurus; 总剂量; 辐射效应;

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