浅结工程发展趋势

机译：锗中浅n型结的缺陷工程：事实与虚构

机译：超浅结制造中基于硼的低能离子注入的损伤工程

机译：浅结工程的趋势

机译：SPER在45 nm CMOS技术节点中形成的超浅结的通道工程和结重叠问题

机译：硅/二氧化硅界面处的掺杂物堆积及其对结浅结的影响。

机译：基于低温浅磷掺杂的径向p-n结硅纳米线太阳能电池的实现

机译：缺陷工程中用于先进纳米金属氧化物半导体技术的超浅结的形成

机译：离子注入技术同时形成浅硅p-n结和浅硅化物 - 硅欧姆接触。

机译：使用中间温度上升率和固体界面制备超浅半导体结，用于缺陷工程

机译：利用缺陷工程和激光退火形成浅结区的方法

机译：利用缺陷工程和激光退火技术形成浅结区的方法