针对Nor-Flash高深宽比STI的ALDSiCoNi新型复合填充工艺开发及优化

倪立华; 周惟舜; 张守龙

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针对Nor-Flash高深宽比STI的ALDSiCoNi新型复合填充工艺开发及优化

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依据产品研发需求,解决传统STI填充工艺在Nor-Flash高深宽比STI填充中极易产生孔洞的问题.结合实验数据和理论分析,提出传统填充工艺的图形负载效应和微观负载效应,并首创ALD&SiCoNi新型复合填充工艺,实现高深宽比STI的无孔洞填充.在此基础上,完成工艺窗口的优化,帮助Nor-Fiash产品良率逾越70％大关.

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来源
《集成电路应用》 |2018年第9期|34-40|共7页
作者
倪立华; 周惟舜; 张守龙;
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作者单位

上海华力微电子有限公司;

上海 201203;

上海华力微电子有限公司;

上海 201203;

上海华力微电子有限公司;

上海 201203;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类制造工艺;
关键词
集成电路制造; 浅沟槽隔离填充; 负载效应; ALD; SiCoNi; 工艺优化;

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