Epion实现超浅掺杂Thoughput的重大提高

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气体丛离子束（GCIB）开发商Epion宣布对其nFusion^TM掺杂系统产生的离子束电流实现了重大性能提高。增强的离子束质量传递不仅使晶圆的throughput提高，并且提高了表面掺杂浓度，可应用于包括DRAM制造中超浅结和多晶双栅硼掺杂，以及沟道锗掺杂。nFusion^TM在相当于180mA的束流下产生的能量非常低，这对防止光刻胶过热具有非常的意义。

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来源
《集成电路应用》 |2006年第8期|16-16|共1页
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正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
掺杂浓度; 离子束; 质量传递; DRAM; 硼掺杂; 超浅结; 光刻胶; 晶圆; 双栅;

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