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应用材料公司发布高性能晶体管创新外延技术

         

摘要

应用材料公司在AppliedCenturaRPEpi系统设备上新开发了一套NMOS晶体管应用技术,继续保持其在外延技术方面十年来的领先地位。该应用技术的开发符合行业在20nm节点时将外延沉积从PMOS(P型金属氧化物半导体)向NMOS(N型金属氧化物半导体)晶体管延伸的趋势,推动芯片制造商打造出更快的终端,提供下一代移动计算能力。NMOS外延可将晶体管速度提高半个器件节点,同时不增加关闭状态下的功耗。

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