InAs 单量子点精细结构光谱

李文生; 孙宝权

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在5 K下,采用光致发光光谱和时间分辨光谱研究了不同单量子点的精细结构和对应发光光谱的偏振性、单激子/双激子发光光谱和相应发光动力学.给出InAs单量子点发光光谱所对应能级的精细结构及激子本征态的偏振特性.当精细结构能级劈裂为零时, 激子的本征态为简并的圆偏振态.而当精细结构能级劈裂大于零时,一般在几十到几百μeV,激子的本征态为非简并的线偏振态.相对于单激子发光寿命,激子-激子间的散射使单激子的复合发光寿命减小.

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来源
《发光学报》 |2009年第6期|812-817|共6页
作者
李文生; 孙宝权;
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作者单位

通辽职业学院,生物化工系,内蒙古,通辽,028000;

中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083;

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正文语种 chi
中图分类发光学;
关键词
量子点精细结构光谱; 激子本征态; 激子发光寿命;

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