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近红外波段InAs量子点结构与光学特性

         

摘要

采用分子束外延技术,分别在480,520 ℃的生长温度下,制备了淀积厚度2.7 ML的InAs/GaAs量子点.用原子力显微镜对样品进行形貌测试和统计分布.结果表明,在相应的生长温度下,量子点密度分别为8.0×1010, 5.0×109 cm-2,提高生长温度有利于获得大尺寸的量子点,并且量子点按高度呈双模分布.结合光致发光谱的分析,在480 ℃的生长条件下,最近邻量子点之间的合并导致了量子点尺寸的双模分布;而在525 ℃的生长温度下,In偏析和InAs解析是形成双模分布的主要原因.

著录项

  • 来源
    《发光学报》 |2007年第1期|104-108|共5页
  • 作者单位

    南开大学,弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室;

    信息光子材料与技术重点实验室;

    泰达应用物理学院,天津,300457;

    南开大学,弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室;

    信息光子材料与技术重点实验室;

    泰达应用物理学院,天津,300457;

    南开大学,弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室;

    信息光子材料与技术重点实验室;

    泰达应用物理学院,天津,300457;

    南开大学,弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室;

    信息光子材料与技术重点实验室;

    泰达应用物理学院,天津,300457;

    中国科学院,半导体研究所,北京,100083;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 发光学;
  • 关键词

    量子点; 分子束外延; 光致发; 原子力显微镜;

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