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MOCVD生长的GaN单晶膜透射光谱研究

         

摘要

采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜,使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品.实验结果表明:GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品,其PL谱的带边峰却很弱,这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系.同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS/沟道结果.

著录项

  • 来源
    《发光学报》 |2002年第4期|352-356|共5页
  • 作者单位

    南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心,江西南昌,330047;

    南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心,江西南昌,330047;

    南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心,江西南昌,330047;

    南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心,江西南昌,330047;

    南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心,江西南昌,330047;

    南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心,江西南昌,330047;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TN312.8;
  • 关键词

    GaN; MOCVD; 透射光谱; X射线双晶衍射; PL谱; RBS/沟道;

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