为了实现建立准确的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN high electron mobility transistor,GaN HEMT)大信号模型的目的,提出了一种基于非线性电阻的GaN HEMT经验基大信号模型.通过对GaN HEMT在高漏极偏置和高电流密度下的电阻特性分析,将受漏源电流控制的非线性电阻模型嵌入经验基大信号模型中.结合Matlab和ADS提取模型初值,在ADS中建立完整的大信号符号定义模型.选择栅长为0.25μm,栅宽分别为2×200μm、2×250μm、4×200μm的GaN HEMT进行直流输出特性和大信号输出特性仿真验证,结果表明本文模型与测试数据具有较高的吻合性.该大信号模型提高了经验基大信号模型的物理特性,具有较高的精度及良好的缩放性.
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