微波GaN HEMT功率器件物理基大信号模型研究

声明

第一章绪论

1.1 研究工作的背景与意义

1.2 国内外研究历史与现状

1.2.1 器件方面

1.2.2 物理基大信号模型方面

1.3 本论文的结构安排

第二章微波GaN HEMT基本原理与模型分类

2.1 GaN 材料特性

2.2.1 GaN HEMT 器件结构

2.2.2 GaN HEMT 工作原理

2.3 GaN HEMT 器件的色散特性

2.3.1 自热效应

2.3.2 陷阱效应

2.4 GaN HEMT 模型分类及建模方法

2.5 本章小结

第三章基于区域划分的GaN HEMT物理基大信号模型研究

3.1 引言

3.2.1 模型拓扑

3.2.2 小信号测试与去嵌方法

3.2.3 模型参数提取

3.2.4 小信号模型验证

3.3.1 区域划分模型基本理论

3.3.2 物理基IV 模型

3.3.3 自热效应建模

3.3.4 陷阱效应建模

3.3.5 非线性栅电容模型参数提取

3.3.6 非线性栅电流模型参数提取

3.3.7 模型验证

3.4 本章小结

第四章具有缩放效应的GaN HEMT物理基大信号模型研究

4.1 引言

4.2.1 建模方法

4.2.2 模型验证

4.3 多胞并联缩放模型

4.3.1 多胞器件测试

4.3.2 建模方法

4.3.3 模型验证

4.3.4 电路设计验证

4.4 本章小结

第五章全文总结与展望

5.1 全文总结

5.2 后续工作展望

致 谢

参考文献