ICP刻蚀硅形貌控制研究

刘欢; 周震; 刘惠兰; 冯丽爽; 王坤博

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ICP刻蚀硅形貌控制研究

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硅的刻蚀形貌控制是MEMS器件加工中的关键技术之一,形貌控制是硅表面刻蚀和钝化反应取得平衡的结果,任何影响刻蚀和钝化反应的因素都会影响到刻蚀形貌.采用中科院微电子研发中心研制的基于化学平衡原理的ICP-98A等离子刻蚀机,对ICP刻蚀当中影响形貌的关键工艺参数进行了研究和分析,研究了源功率RF1、射频功率RF2及气体(SF6和C4F8)比例对刻蚀形貌的影响,分析了bowing现象产生机制,并给出了降低这种现象的工艺方法.该研究对提高硅的ICP刻蚀形貌控制具有重要的指导意义.

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来源
《传感技术学报》 |2011年第2期|200-203|共4页
作者
刘欢; 周震; 刘惠兰; 冯丽爽; 王坤博;
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作者单位

北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院,北京,100191;

北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院,北京,100191;

北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院,北京,100191;

北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院,北京,100191;

北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院,北京,100191;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光刻、掩膜;
关键词
ICP刻蚀; 硅; 形貌控制; bowing效应; 工艺参数;

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