衬底温度对硼掺杂ZnO薄膜微观结构及其光电特性的影响

王何美; 朱华; 冯晓炜; 况慧芸; 王艳香

首页> 中文期刊> 《人工晶体学报》 >衬底温度对硼掺杂ZnO薄膜微观结构及其光电特性的影响

衬底温度对硼掺杂ZnO薄膜微观结构及其光电特性的影响

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

采用射频磁控溅射技术,改变玻璃衬底温度制备B掺杂ZnO薄膜,薄膜的微结构及其光电性能分别用X-射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、四探针测试仪及粗糙度测试仪进行表征。结果表明：ZnO∶B薄膜样品表面平整,具有六角纤锌矿结构并呈C轴择优取向。所有薄膜样品在420~900 nm区间内的平均透光率大于91%。随着温度的增加,电阻率先减小后增大,但晶粒尺寸一直变大。衬底温度为100℃时电阻率可低至1.14×10-3Ω·cm,所有样品禁带宽度相对于本征ZnO蓝移。

著录项

来源
《人工晶体学报》 |2015年第5期|1266-1270|共6页
作者
王何美; 朱华; 冯晓炜; 况慧芸; 王艳香;
展开▼
作者单位

景德镇陶瓷学院机电学院;

景德镇陶瓷学院科技艺术学院;

景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
ZnO∶B薄膜; 磁控溅射; 光电特性;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 衬底温度对反应磁控溅射W掺杂ZnO薄膜的微观结构及光电性能的影响 [J] . 张翅 ,陈新亮 ,王斐 . 物理学报 . 2012,第023期
2. 衬底温度对Al掺杂ZnO薄膜结构及其光电性能的影响 [J] . 吴克跃 ,吴兴举 ,常磊 . 人工晶体学报 . 2013,第10期
3. 衬底温度和硼掺杂对P型氢化微晶硅薄膜结构和电学特性的影响 [J] . 杨仕娥 ,文黎巍 ,陈永生 . 物理学报 . 2008,第008期
4. 溅射气压对硼掺杂ZnO薄膜光电特性的影响 [J] . 化麒麟 ,杨培志 ,杨雯 . 人工晶体学报 . 2013,第5期
5. 衬底温度对Sn掺杂ZnO薄膜结构、电学和光学性能的影响 [J] . 谌夏 ,方亮 ,吴芳 . 材料导报 . 2012,第010期
6. 衬底温度对ZnO∶Mn薄膜结构及光电性质的影响 [C] . 杨天勇 ,Tianyong YANG ,Chunyang KONG . 2011中国功能材料科技与产业高层论坛 . 2011
7. PLD制备的ZnO/SiC/Si薄膜的光电特性及Mn掺杂ZnO薄膜的结构和磁性研究 [A] . 赵朝阳 . 2008

衬底温度对硼掺杂ZnO薄膜微观结构及其光电特性的影响

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅