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颜志英;
浙江工业大学信息工程学院;
SOI; MOSFET; 热载流子效应; 器件损伤;
机译:深亚微米SOI N-MOSFET处于断态工作时的热载流子效应和寿命预测
机译:深亚微米N和P沟道SOI MOSFET中的热载流子效应和可靠的寿命预测
机译:物理亚阈值MOSFET建模应用于深亚微米全耗尽SOI低压CMOS技术的可行设计
机译:深亚微米SOI-MOSFET处于断态工作期间的热载流子效应:老化特性和缺陷评估
机译:蒙特卡洛研究了低功率深亚微米n-MOSFET中的热载流子退化和器件性能。
机译:具有最新fmax的深亚微米石墨烯场效应晶体管
机译:对深亚微米FD-SOI MOSFET热噪声的自热响应
机译:深亚微米光栅 - 场效应晶体管中量子力学效应的研究
机译:深度增强CoSi2形成形成深亚微米MOSFET中硅结的CoSi2深MOSFET MOSFET。
机译:逻辑块混合低阈值电压MOSFET器件和普通阈值电压MOSFET器件,用于深亚微米VLSI设计
机译:低阈值电压MOSFET器件的逻辑块,用于深亚微米形式的VLSI和正常阈值电压MOSFET器件的设计
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