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皮彪; 孙甲明; 林耀望; 姚江宏; 邢晓东; 蔡莹; 舒强; 贾国治; 刘如彬; 李丹; 王占国;
南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室;
天津师范大学;
固态源分子束外延; 原子力显微镜; InP; 表面形貌;
机译:金属有机气相外延生长的c面同质外延GaN层上的小丘形成和抑制
机译:在精确且取向错误的单晶上生长同质外延GaN:抑制小丘形成
机译:外延生长的实时光学监测:GaP和InP的同质外延和Si上的异质外延的脉冲化学束外延
机译:气源分子束外延生长的InP同质结太阳能电池
机译:通过氢化物气相外延形成氮化镓模板和独立衬底,用于III族氮化物器件的同质外延生长。
机译:1°偏角的4H-SiC硅面同质外延层生长过程中3C夹杂物形成的抑制
机译:不稳定同质外延中逐步流动生长的分解
机译:具有通过液相外延生长的In0.53Ga0.47as接触层的N / p Inp同质结太阳能电池
机译:用于生长化合物半导体的外延和用于外延生长的InP衬底
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