纳米有机硅杂化聚酰亚胺薄膜的结构及电性能研究

刘晓玉; 陈慧丹; 陈昊; 李娟; 范勇

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纳米有机硅杂化聚酰亚胺薄膜的结构及电性能研究

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调整二苯基二甲氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比,通过溶胶-凝胶法制备了纳米有机硅杂化聚酰亚胺(PI)薄膜。用FT-IR,SEM表征了薄膜的化学结构和表面形貌,对电气强度,耐电晕性进行了实验研究。结果表明,随着纳米有机硅网络结构的变化,掺杂薄膜的电气强度先保持平稳后下降,大约在二苯基二甲氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比为1:3时出现极大值,二苯基二甲氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比为1:1时杂化薄膜的平均耐电晕寿命为纯聚酰亚胺薄膜平均耐电晕时间的8.57倍。

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来源
《绝缘材料》|2008年第5期|40-43|共4页
作者
刘晓玉; 陈慧丹; 陈昊; 李娟; 范勇;
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作者单位

哈尔滨理工大学材料科学与工程学院;

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正文语种 chi
中图分类绝缘薄膜;聚酰亚胺类及塑料;
关键词
聚酰亚胺; 纳米有机硅; 电性能;

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