聚酰亚胺/纳米有机硅薄膜结构与电性能研究

李翠翠; 李娟; 陈昊; 张辰威; 范勇

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聚酰亚胺/纳米有机硅薄膜结构与电性能研究

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通过调整甲基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比,采用溶胶-凝胶法制备了纳米有机硅溶胶用于掺杂的聚酰亚胺(PI)薄膜。对薄膜的结构与电气强度,相对介电常数εr和介质损耗因数(tanδ)的关系进行了实验研究,并采用FT-IR,SEM表征了薄膜的化学结构和表面形貌。结果表明,随着纳米有机硅网络结构的变化,掺杂薄膜的击穿场强先下降后增加,大约在甲基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比为3∶5时出现极小值,在1 kHz的测试频率下,相对介电常数εr先增大后减小,相应的介质损耗因数(tanδ)逐渐降低。

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来源
《绝缘材料》|2008年第1期|37-39|共4页
作者
李翠翠; 李娟; 陈昊; 张辰威; 范勇;
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作者单位

哈尔滨理工大学材料科学与工程学院;

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正文语种 chi
中图分类聚酰亚胺类及塑料;非金属复合材料;
关键词
聚酰亚胺; 纳米有机硅; 电性能;

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