一种CMOS工艺低电压带隙基准源

石颖伟; 韩良; 王科

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基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种低电源电压的带隙基准源.该带隙基准源电路采用非线性温度补偿,具有很高的温度稳定性.Hspice仿真结果显示,电源电压最低为1.2V时,在-40～135℃的温度范围内,输出电压在556.03～556.26mV之间变化,平均温度系数约仅为2.36ppm/℃,电源电压抑制比可达到90dB.

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来源
《微电子学与计算机》 |2008年第5期|185-188|共4页
作者
石颖伟; 韩良; 王科;
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作者单位

哈尔滨工业大学(威海)微电子中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
带隙基准源; 非线性补偿; 温度系数;

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