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一种低电压的CMOS带隙基准源

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设计了一种用于集成电路内部的带隙基准源,采用了1.0V/0.18μmCMOS工艺。该电路利用电阻分压和高阶温度补偿,达到降低温度率数的目的,并具有好的电源抑制比。SPICE仿真结果表明,在0°C～100°C范围内度可达到18ppm/°C,其电源抑制比可达到62dB。

著录项

来源
《微电子学与计算机》 |2005年第5期|110-113|共5页
作者
谢毅; 朱云涛; 邵丙铣;
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作者单位

复旦大学国家微分析中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
带隙基准源; 温度系数; 电源抑制比;

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