本文采用MOCVD法分别在a面和c面蓝宝石衬底上生长出7层In Ga N/Ga N多量子阱结构的Ga N薄膜,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪、吸收光谱等手段对样品进行表征。分析表明:a面蓝宝石衬底上生长的Ga N薄膜(样品A)的FWHM为781.2 arcsec,c面蓝宝石衬底上生长的Ga N薄膜(样品B)的FWHM为979.2 arcsec。样品A和样品B中存在的压应力分别为0.8523 GPa和1.2714 GPa,薄膜的能带宽度(理论值为3.4 e V)分别为3.38 e V和3.37 e V。以上数据表明a面蓝宝石衬底上生长出来Ga N薄膜的结晶质量较好,光学性能更优异。
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