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100V半桥栅极驱动器

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与标准金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比，由于具有较低的导通电阻（Rdson）、栅极电荷（Qg）以及超小的体积，增强型GaNFET可以实现更高的效率和功率密度，但是要可靠地驱动这类器件也面临着新的重大挑战。LM5113驱动集成电路化解了这些挑战，使电源设计人员能够在各种流行的电源拓扑结构中发挥GaNFET的优势。

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来源
《今日电子》 |2011年第8期|68-69|共2页
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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
栅极驱动器; 金属氧化物半导体场效应晶体管; 半桥; 驱动集成电路; 导通电阻; 栅极电荷; 功率密度; 拓扑结构;

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