低电压电容式RF MEMS开关设计研究

伍文昌

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本文设计了一种低电压电容式RFMEMS开关,开关采用了两端固支梁结构,在梁与CPW共面波导地线的四个固定支撑位置使用了折叠结构,该结构可以减低下拉电压;通过在MEMS开关梁上开孔(直径9μm圆孔)来减小残余应力和杨氏模量和选择合适的开关梁厚度,显著降低了MEMS开关梁的弹性系数和下拉电压。以上措施显著降低了电容式RFMEMS开关的下拉电压,在ANSYS仿真下拉电压约为6V,驱动电压约为8.4V,该MEMS开关依旧保持了较好的S参数,开关插入损耗大于-0.35dB(8-40GHz),回波损耗小于-22dB(8-40GHz),隔离度(down态S21)大于25dB(8-40GHz)。

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来源
《电子技术与软件工程》 |2023年第4期|70-73|共4页
作者
伍文昌;
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作者单位

信阳职业技术学院汽车与机电工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类自动化技术及设备;
关键词
电容式RF MEMS开关; 低驱动电压; MEMS器件;

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