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SiC MOSFET驱动电路的设计

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摘要

cqvip:本文对SiCMOSFET的驱动电路进行了优化设计,并采用Boost主电路对该驱动电路进行验证。结果表明,SiCMOSFET具有较快的开关速度。相比SiMOSFET,工作频率为100kHz,上升时间由70ns减小到40ns,下降时间由100ns减小到10ns。

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来源
《电子技术与软件工程》 |2019年第8期|P.83-83|共1页
作者
李小娜; 李艳娜;
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作者单位

[1]山西交通职业技术学院山西省太原市030000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.24;
关键词
SiC MOSFET; 驱动电路; Boost升压电路;

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