先进相移掩模(PSM)工艺技术

彭力; 陈友篷; 尤春; 周家万

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先进相移掩模(PSM)工艺技术

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先进相移掩模(PSM)制造是极大规模集成电路生产中的关键工艺之一,当设计尺寸(CD)为0.18 μm时,就必须在掩模关键层采用OPC(光学邻近校正)和PSM(相移技术),一般二元掩模由于图形边缘散射会降低整体的对比度,无法得到所需要的图形.通过相位移掩模(PSM)技术可以显著改善图形的对比度,提高图形分辨率.相移掩模是在一般二元掩模中增加了一层相移材料,通过数据处理、电子束曝光、制作二次曝光对准用的可识别标记、二次曝光、显影、刻蚀,并对相移、缺陷等进行分析和检测,确保能达到设计要求.

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来源
《电子与封装》 |2010年第9期|41-45|共5页
作者
彭力; 陈友篷; 尤春; 周家万;
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作者单位

中国电子科技集团公司第58研究所,江苏,无锡,214035;

中国电子科技集团公司第58研究所,江苏,无锡,214035;

中国电子科技集团公司第58研究所,江苏,无锡,214035;

中国电子科技集团公司第58研究所,江苏,无锡,214035;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类可靠性及例行试验;
关键词
相移掩模; 电子束曝光; 相位角分析; 缺陷检测;

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