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SiC单晶片的激光标识技术研究

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摘要

研究了激光的功率、标刻速度、频率等对打标深度的影响,通过多组实验,观察不同参数下,打标效果的变化.确定了激光功率为50％,标刻速度为100 m m/s,频率为20 kH z,脉冲宽度为10μs的工艺参数,有效地改善了碳化硅晶片的标记效果,优化后的激光打标工艺更好地应用于SiC晶片生产加工中.

著录项

来源
《电子工业专用设备》 |2018年第3期|32-34|共3页
作者
王添依; 冯玢;
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作者单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220;

中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220;

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正文语种 chi
中图分类监视器;
关键词
碳化硅单晶; 激光加工; 激光标识;

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