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SiC基板的评价方法、SiC外延晶片的制造方法及SiC外延晶片

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本公开提供一种能够确定可能成为SiC器件的缺陷的原因的部位的SiC基板的评价方法。在本实施方式涉及的SiC基板的评价方法中，在将外延膜层叠于从SiC锭切出的SiC基板的第1面之前，将激发光照射于所述第1面，进行光致发光测定。

著录项

公开/公告号CN110890287A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-03-17

原文格式PDF
申请/专利权人昭和电工株式会社;
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申请/专利号CN201910826266.4
发明设计人野口骏介;
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申请日2019-09-03
分类号
代理机构北京市中咨律师事务所;
代理人张轶楠
地址日本东京都
入库时间 2023-12-17 06:51:40

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-04-10

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20190903

实质审查的生效
2020-03-17

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