超紫外线光刻技术发展缓慢Intel目光转向反向光刻技术

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由于超紫外线光刻技术（extreme ultraviolet，EUV）的发展迟缓，Intel透露正在开发一种可能将光学扫描仪扩展到22nm制造节点的可制造性设计。 Intel正在开发的这种计算光刻（computational lithography）是一种反向光刻技术。反向光刻、EUV和二次图形曝光技术是Intel正在为22nm制造节点进行评估的光刻技术。

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来源
《电子工业专用设备》 |2007年第7期|43-44|共2页
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正文语种 chi
中图分类光刻、掩膜;
关键词
Intel; 光刻技术; 超紫外线; 反向; 可制造性设计; 光学扫描仪; 曝光技术; EUV;

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