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发射极; 集电极; 双极晶体管; 音频放大器; 封装; 热系统; 功率因数校正; 开关; 电流; 意法半导体;
机译:磷掺杂的多晶硅发射极晶体管的类似杂发射极的特性。第一部分:通过电学测量获得的多晶硅发射极中的能带结构
机译:磷掺杂的多晶硅发射极晶体管的类似杂发射极的特性。第二部分:由于多晶硅发射极中的残余应力导致的带变形
机译:阳极-发射极注入效率对混合SIT-MOS晶体管特性的影响
机译:隔离发射极晶体管与通用晶体管的工艺集成发射极异质结双极晶体管电路
机译:4-氢碳化硅中的高压注入-发射极双极结型晶体管和Darlington晶体管。
机译:基于发射极和表面等离激元相互作用的单光子晶体管
机译:阳极发射极注入能力对电池特性的影响 混合sIT-mOs晶体管
机译:五种晶体管 - 晶体管 - 逻辑(TTL)族和发射极耦合逻辑(ECL)的比较研究。
机译:具有差分晶体管对的压控放大器-一个晶体管对的发射极幅度是其他晶体管对的发射极幅度的倍数
机译:混合信号集成电路,例如用于汽车应用的数码相机具有PNP双极晶体管,其中发射极连接到信号引脚,其中另一个PNP和NPN晶体管用作晶闸管结构
机译:晶体管放大器,用于产生混合输出信号,其峰峰值电压可以大于每个放大器晶体管的最大集电极-发射极电压,其中
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